بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 930322698
نویسنده : سید داود حسینی رشت آبادی
عنوان پایان نامه : شبیهسازی کامپیوتری اثر عمق چاه کوانتومی در مرکز کانال CNTFET بر شاخص PDP باهدف تحلیل کارایی آن
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , سید علی صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : در این پایاننامه، ساختار مورد استفاده، ترانزیستورهای مبتنی بر نانولولههای کربنی (CNTFET ) میباشند که به دلیل خاصیت الکترونی عالی، قابلیت جایگزین شدن بر مدارات CMOS سیلیکونی را دارند، با استفاده از شبیه سازی،خواص الکترونیکی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی با ناخالصی سبک لبه پایین سورس- درین(LDDS-CNTFET) روی یکی از محتمل ترین جایگزینهایCMOS شبیه سازی شده است. انتخاب این ترانزیستور به دلیل برتری آن ها نسبت به ترانزیستورهای با آلایش پله و خطی،در لبه ی پایین سورس درین می باشد. درروش ارائه شده، ابتدا با شبیهسازی دوبعدی بر اساس چهارچوب تابع گرین غیر تعادلی و ایجاد تغییرات در عمق و عرض چاه کوانتومی در مرکز کانال CNTFET ،اثرات این پدیده بر روی شاخص PDP باهدف تحلیل کارایی آن بررسی گردیده است.اثر کاشت هاله تنها با ناخالصی نوع n روی ترانزیستورهای (LDDS-CNTFET) و با استفاده از کد شبیه سازیMOSCNT مبتنی بر روش NEGF و قابل استفاده در نرم افزار متلب استفاده شده است.نتایج بررسی ها نشان می دهد که تغییرات ایجاد شده در عمق و عرض چاه کوانتومی بر روی ساختار پایه (LDDS-CNTFET) باعث بهبود سطح جریان خروجی ، نسبت جریان روشنایی به خاموشی کوچکتر و همچنین کوچکتر شدن PDPمی شود.طبق نتایج بدست آمده در این تحقیق، با افزایش عمق و عرض چاه ایجاد شده تا محدوده قابل استفاده،این برتری ها بطور محسوسی افزایش می یابد.تحلیل این مقایسه ها نشان دهنده برتری حرکت سوئیچینگ در هر دو حالت مدل پیشنهادی Type.1 و Type.2 به نسبت ساختار پایه LDDS-CNTFET می باشد و در واقع ساختار تغییر یافته LDDS-CNTFETرا می توان بعنوان کاندیدای مناسبی برای کابردهای سرعت بالا و قدرت کم دانست.
كلمات كليدي : کلمات کلیدی: مدارات مبتنی بر نانولولههای کربنی، چاه کوانتومی،LDDS-CNTFET،PDP، NEGF
تاريخ دفاع : 1395-6-17