بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 930295764
نویسنده : lمهیار غلامعلی نژاد
عنوان پایان نامه : شبیه سازی ترانزیستور با قابلیت تحرک الکترونی بالا) HEMT ( در محیط SILVACO با هدف تحلیل چگونگی اثر درصد مولی مواد بر الگوی نوار انرژی و ولتاژ آستانه.
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , دکتر سید علی صدیق,
استاد مشاور () : ,
چكيده : ما در این پژوهش ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترون را در محیط SILVACO شبیه سازی می کنیم.با تغییر درصد مولی ماده AlGaAs به یررسی عمق چاه پتانسیل در الگوی نوار انرژی می پردازیم . کاهش یا افزایش در جریان درین-سورس نسبت به ولتاژ گیت-سورس مشاهده می شود.تحلیل و بررسی این روند با هدف مدیریت بر ولتاژ آستانه انجام خواهد شد. همچنین تغییر ماده AlGaAs به AlGaN و بررسی اثر درصد مولی و مقایسه با ساختار اول انجام می شود.همچنین با آلایش در ناحیه GaN با درصد مولی 0.3 به بررسی ساختار ترانزیستور و بررسی عمق چاه پتانسیلی در ناحیه مورد نظر می پردازیم.
كلمات كليدي : ترانزیستور با قابلیت تحرک بالای الکترون ،الگوی نوار انرژی ، ولتاژ آستانه
تاريخ دفاع : 95-11-30