بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 930381208
نویسنده : مهدی اسفرم
عنوان پایان نامه : شبیه سازی اثر میزان آلایش نواحی سورس ، درین و کانال ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی بر هدایت انتقالی در شبیه ساز Silvaco با هدف تحلیل کارایی
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , سید علی صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : چکیده
در مطالعه یک MOSFET به دنبال کاربرد آنالوگ وکاربرد دیجیتال هستیم .در کاربرد آنالوگ ویژگی gm و ویژگی فرکانس قطع بسیار مهم است . ویژگی gm به دلیل اینکه خود تعیین کننده فرکانس قطع است بسیار مهم تر است . علاوه بر فرکانس قطع ، gm تعیین کننده بهره ترانزیستور نیز است . در نتیجه هر چقدر gm بیشتر باشد ، بهره ترانزیستور بیشتر است . در نتیجه ما به دنبال راهکاری هستیم که بتوانیم بهره یا هدایت انتقالی ترانزیستور را بالاتر ببریم . ما در این پژوهش نوعی از ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی را با استفاده از نرم افزار Silvaco TCAD شبیه سازی می کنیم. با تغییر در میزان آلایش نواحی سورس ، درین و کانال ، اثر آن بر منحنی جریان درین ، ولتاژ گیت ترانزیستور را بدست آورده و بر این اساس هدایت انتقالی (gm ) را محاسبه می کنیم. تحلیل چگونگی تغییرات و راه کار های افزایش کارایی افزاره از دیدگاه gm بررسی می شود و با تغییرات در اثر میزان آلایش نواحی سورس ، درین و کانال ترانزیستور ، با مهندسی اکسید ، نتایج مشخصه هدایت انتقالی را تحلیل می کنیم .
كلمات كليدي : کلمات کلیدی : ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی – آلایش – هدایت انتقالی – شبیه سازی
تاريخ دفاع : 1395-11-30