نویسنده : محمود فدایی یکتا

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (استاد مدعو) : , صدیق ضیابری,

چكيده : ما در این پژوهش ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی با چند فلز گیت ، با عایق Sio2 و آلایش بدنه 1.1e19 را در محیط سیلواکو شبیه سازی می کنیم و آن را به عنوان ساختار پایه در نظر می گیریم سپس با استفاده از ایده های مهندسی ساختار ، تغییر جنس اکسید و آلایش ، راهکارهایی را در جهت ارتقاء افزاره در کاربردهای آنالوگ و فرکانس رادیویی ( RF ) ، تحلیل و شبیه سازی نموده و با ساختار پایه مقایسه خواهیم کرد . ابتدا روی جبران سازی و بهبود پارامتر های بسیار مهم هدایت انتقالی ( g m ) و فرکانس قطع( f T) کار نموده و در انتها ولتاژ ارلی ( VEA ) که یکی از پارامتر های مهم در کاربرد آنالوگ ، مخصوصا تقویت کنندگی است را بررسی می کنیم .

تاريخ دفاع : 1396-6-26