بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 940038656
نویسنده : مهردادعلی غلامی شیل سر
عنوان پایان نامه : شبیه سازی کامپیوتری و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونلی جهت ارائه راهکارهای سرکوب جریان های نشتی و Ambipolar
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , سیدعلی صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : امروزه با کاهش ابعاد ترانزیستورهای اثر میدانی MOS و بروز محدودیت های آن در ابعاد زیر ده نانومتر، ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی ، CNTFET، از گزینه های مهم جایگزینی آنها هستند . از برتری های این ترانزیستور نسبت به MOSFET، تحرک پذیری(نوعا در حدود 104-103 سانتيمتر¬ مربع بر ولت ¬ثانيه) بیشتر حاملها و در نتیجه تاخیر کمتر است. از سوی دیگر انتقال حامل در این ترانزیستور را می¬توان شبه بالستیک در نظر گرفت. همچنین هدایت انتقالی بهتر، جریان خاموشی کمتر و خصوصیات نوری بهتر از برتری های ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی نسبت به نوع MOS است. ترانزیستورهای CNTFET از انواع مختلف با توجه به نوع نیمه هادی ها در قسمتهای درین و سورس ساخته می¬شوند، که ترانزیستورهای pin یکی از رایج ترین آنها است. ترانزیستور pin مشکلاتی همچون جریان خاموشی و جریان Ambipolar را دارا است که در این تحقیق به روشهای کنترل این جریانها با تغییر آلایش در بخشهای p و i و n و همچنین با تغییر در ضخامت اکسید گیت پرداخته شده است.
كلمات كليدي : CNTFET ، جریان خاموشی، pin، جریان Ambipolar
تاريخ دفاع : 1396-06-26