نویسنده : محمد رضا نخی کار

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (استاد مدعو) : , دکتر سید علی صدیق ضیابری,

چكيده : چکیده این تحقیق باکمک شبیه سازی کامپیوتری توسط نرم افزار Fettoy وباتغییرات ضخامت اکسیدبرحسب نانومتر و تحلیل آن در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو لوله کربنی CNTFET ابتدا با ماده SiO2 بررسی شد. تاثیرضخامت اکسید در نمودار جریان درین و ولتاژ گیت – سورس باهدف اهمیت و بهبود ولتاژ آستانه و شیب زیر آستانه انجام شد. با افزایش ضخامت اکسید شیب نمودار کم شد و ولتاژآستانه وشیب زیر آستانه افزایش یافت. تمام تغییرات باردیگربا تعویض نوع ماده HFO2 بررسی شد و نتیجه به دست آمده در ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی CNTFET نسبت به ماده قبلی بهترشد. شبیه سازی بر اساس جریان درین و ولتاژ درین – سورس نیزانجام شد و رفتار ترانزیستور را دراین حالت مشاهده کردیم.

تاريخ دفاع : 1396/6/29