نویسنده : سینا سوره

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (استاد مدعو) : , دکتر عباس قدیمی,

چكيده : چکیده لیزر نیمه رسانا چاه کوانتمی یکی از مهمترین منبع نوری در فیبر نوری و سیستمهای نوری مجتمع میباشد. به دلیل بهره¬وری بالا، سادگی مدولاسیون و سایز فشرده آن است و تحلیل دقیق پارامترهای عملگر لیزرهای نیمه رسانا به منظور طراحی نانومتریک برای اتصالات نوری با سرعت بالا بسیار مهم می¬باشد. در این پروژه به همین دلیل اثر تزریق ناخالصی به لیزر دیود چاه کوانتمی برای مواد InGaN بر روی خواص نوری مانند چگالی حاملها، بازده تفاضلی و بازده شیب با عرض مشخص مورد بررسی قرار گرفته است. یک مدل برای لیزر چاه کوانتمی با ساختارهای همراه با ناخالصی پیشنهاد شده است و بمنظور اعتبارسنجی و تایید کارایی مدل پیشنهادی مطالعات شبیه سازی و آنالیز نتایج عددی در محیط نرم افزار متلب اجرا شده است. نتایج شبیه¬سازی گواه این حقیقت است که هم به لحاظ توان تابشی خروجی و هم به لحاظ بازده ساختار پیشنهادی به نتایج بهینه¬تری در مقایسه با ساختارهای لیزر چاه کوانتمی بدون ناخالصی به واسطه کاهش جریان آستانه به همراه افزایش فوتون های تابش شده دارا می¬باشد.

تاريخ دفاع : 1395-11-30