بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 920053373
نویسنده : سیده سحـابه موسوی
عنوان پایان نامه : شبیه سازی و ارزیابی ترانزیستورهای MOS با ابعاد متفاوت در سوئیچ فرکانس بالا
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (عضو هیات علمی مرکز) :عبداله اسکندریان, ,
استاد مشاور () : ,
چكيده : در این پژوهش پس از بررسی انواع سوئیچ¬های RF، یک سوئیچ T/R برای به کارگیری در خط انتقال طراحی و شبیه¬سازی شده است. به منظور بررسی اثر کاهش ابعاد ترانزیستور، مدار پیشنهادی در دو تکنولوژی متفاوت nm90 و nm180 شبیه¬سازی شده است. مدار پیشنهادی در تکنولوژی nm 90 در محدوده فرکانسی 0 تا 30گیگاهرتز عملکرد مناسبی نشان داده است در حالی که فرکانس کاری تکنولوژی nm180 با عملکرد مناسب 20 گیگاهرتز بوده است. اتلاف جانمایی برای این سوئیچ به کمتر از dB2 در GHz30 و ایزولاسیونی نزدیک به dB30 حاصل شده است و عدد نویز در فرکانس GHz30 برابر dB7/1 و فرکانس گذار برابر GHz35 می¬باشد.
كلمات كليدي : سوئیچ RF، CMOS، Mosfet ، T/R، اتلاف جانمایی، ایزولاسیون
تاريخ دفاع : 1395-11-30