بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 932331001
نویسنده : سمیه کاشفی اجی بیشه
عنوان پایان نامه : مطالعه خواص ساختاری و الکترونی GaSe با استفاده از اصول اولیه
دانشكده : دانشکده علوم پایه
گروه تحصيلي : فیزیک
رشته/گرایش تحصيلي : فیزیک
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (عضو هیات علمی مرکز) : ,
استاد مشاور () : ,
چكيده : گالیم سلنید، GaSe ، به دلیل داشتن خواص نیم رسانایی مناسب، خواص اپتیکی غیر خطی، فوتو رسانندگی و نیز دارا بودن گاف انرژی مناسب، دارای کاربردهای فراوان صنعتی است از این بابت مورد توجه پژوهشگران بوده است. با توجه به استفاده این ماده در ساخت لیزرها، تحقیقات آزمایشگاهی گسترده ای روی آن انجام شده ولی بررسی های نظری انجام شده روی آن محدود می باشد. در این تحقیق خواص ساختاری ماده مورد بررسی نظری قرار خواهد گرفت. با استفاده از اصول نظریه تابعی چگالی ، تلاش خواهیم کرد تا با استفاده از پتانسیل های مختلف ساختار ماده بهینه سازی شده و پس از آن به بررسی خواص الکترونی و اپتیکی دو فاز و از این ترکیب پر کاربرد بپردازیم. محاسبه مقدار گاف نواری، وضعیت ترازهای الکترونی، توزیع بارهای الکتریکی در اطراف اتم ها و شبکه و مقایسه نتایج با مقادیر تجربی از عمده اهداف این تحقیق می باشد.
می توان این تحقیق را پایه ای برای شروع تحقیقات گسترده تری روی این ماده کاربردی دانست طوریکه خواص الکترونی، اثر افزودن ناخالصی های مختلف روی ویژگیهای الکترونی و اپتیکی، می تواند در ادامه تحقیق مورد نظر قرار گیرد.
كلمات كليدي : گالیم سلناید
تاريخ دفاع : 1396-11-10