نویسنده : کریم نعمانی خلیل

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (استاد مدعو) : , سیدعلی صدیق ضیابری,

چكيده : در این پژوهش شبیه سازی کوانتومی ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی تونلی به کمک روش تابع گرین غیرتعادلی در محیط نرم افزار متلب انجام شده است. بر این اساس این پژوهش با هدف تحلیل مقایسه ای ترانزیستور با الگوی آلایش سبک درین و سورس شبیه سازی صورت گرفته است.نتایج نشان داد جریان خاموشی بسیار کمتر از ساختار معمول شد . جریان روشنایی نیز کاهش یافت این نتیجه بهبود رفتار را نشان داد. همچنین با هدف ارزیابی چگونگی تاثیر سد پتانسیل در درون ناحیه کانال نشان دادیم که ایجاد سد پتانسیل بر اساس آلایش نوع p در کانال ولتاژ آستانه ترانزیستور را نسبت به افزاره ی معمول افزایش می دهد اما از نظر جریان روشنایی و خاموشی اثری نامطلوب دارد تحلیل کوانتومی این نتایج بر اساس الگوی نوار انرژی شبیه سازی هر یک انجام شده است.

تاريخ دفاع : 1395-6-31