بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 950305641
نویسنده : بهزاد محمدی
عنوان پایان نامه : ارائه ساختار از یک ترانزیستور اثر میدانی غیرپیوندی تونلی با الایش سبک سورس و درین با شبیه سازی در محیط سیلواکو
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : با استفاده از شبیه سازی دو بعدی بر اساس چارچوب تابع گرین غیر تعادلی، خواص الکترونیکی ترانزیستور اثرمیدانی بدون پیوند را شبیه سازی نمودیم. انتخاب ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند به علت برتری این نوع از ترانزیستورها نسبت به ترانزیستور های دیگر در ادامه روند کوچک سازی می باشد. میزان اثر تغییر ناخالصی روی ترانزیستور های اثرمیدانی بدون پیوندو همچنین تغییر طول نواحی سورس و درین با استفاده از شبیه سازی کوانتوم بررسی شده است. با توجه به بررسی اثر تغییر میزان ناخالصی و طول نواحی سورس و درین ترانزیستورهای اثر میدانی بدون پیوند ، شاخص جریان روشنایی و نسبت جریان روشنایی به خاموشی و جریان ambipolar را شبیه سازی نمودیم. ساختار ترانزیستور بدون پیوند پیشنهاده با استفاده از چند گیت با تابع کارهای مختلف یک افزاره تونلی ایجاد کرده است. در این پژوهش نشان داده شده است که مقدار جریان روشنایی و همچنین نسبت جریان روشنایی به خاموشی، جریان خاموشی و AMBIPOLAR با تغییر ناخالصی افزاره و طول نواحی سورس و درین تغییر می یابد. در این پژوهش نشان داده شده است که کاهش میزان ناخالصی، سبب کاهش جریان خاموشی و AMBIPOLAR و افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی می شود. همچنین با کاهش طول نواحی سورس و درین با حفظ جریان روشنایی، جریان خاموشی کاهش و درنتیجه جریان روشنایی به خاموشی افزایش می یابد. البته این تغییر سبب افزایش جریان AMBIPOLAR می گردد.
كلمات كليدي : ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی، نانولوله های کربنی، جریان فعلی، جریان آمبیکولار، NEGF
تاريخ دفاع : 1397-06-21