نویسنده : تورج خوش نگار شهرستانی

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (عضو هیات علمی مرکز) : ,

چكيده : در این پژوهش ترانزیستور اثر میدانی تونلی غیر پیوندی ناهمگون با دو فلز گیت،با عایقSiO2 وآلایش بدنه19× e1در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است که آن را به عنوان ساختار پایه در نظرگرفته اند،سپس از ایده ها وروشهای مهندسی ساختار،تغییر جنس اکسیدوتابع کار،راهکارهایی را جهت بهبود وارتقاءافزاره در کاربردهای آنالوگ وبدون تضعیف پارامترهای دیجیتال وحتی بهبود آنها،تحلیل وشبیه سازی نموده وبا ساختار پایه(اولیه)مقایسهمی شود.در ابتدا روی بهبود پارامترهای بسیار مهم هدایت انتقالی(gm)و فرکانس قطع(fT)کار نموده ودر نهایت ولتاژ ارلی(VEA) که یکی از پارامترهای مهم در کاربرد آنالوگ،مخصوصا موثر در بهبود گین ذاتی ترانزیستور می باشد.بررسی شده است.

تاريخ دفاع : 1397-6-10