بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 950006102
نویسنده : بهادر سیم چین سیاح
عنوان پایان نامه : شبیه سازی و تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی با قابلیت تحرک الکترونی بالا برپایه AlGaN/GaN جهت ارایه ساختار بهبود یافته در کاربردهای دیجیتال
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : در این پژوهش، یک ترانزیستور با تحرک پذیری الکترونی بالا(High Electron Mobility Transistor) که به اختصار HEMT نامیده می شوند مورد بررسی و مطالعه قرار می گیرد. ساختار HEMT مورد بررسی یک AlGaN/GaN می باشد که در محیط نرم افزار SILVACO شبیه سازی و تحلیل می گردد. با انجام آنالیز DC و سایر تحلیل ه، منحنی های مشخصه خروجی، انتقالی و سایر مشخصه های افزاره استخراج و مورد بررسی دقیق قرار می گیرد. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان از قابلیت های ویژه جریانی این افزاره می دهد. هم چنین با تغییر مولار آلمینیوم در ترکیب، تغییرات حاصل شده در رفتار منحنی مشخصه الکتریکی و الگوهای نوار انرژی مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرد.
كلمات كليدي : ترانزیستورهای اثرمیدانی، AlGaN/GaN، کاربردهای دیجیتال
تاريخ دفاع : 1397-6-21