نویسنده : علی محمدپور کلاچاهی

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (استاد مدعو) : , سیدعلی صدیق ضیابری,

چكيده : پژوهش حاضر به بررسی ترانزیستورهای اثرمیدان غیر پیوندی (JLFET) می‌پردازد. در این راستا دو ساختار فیزیکی مختلف طراحی و پس از شبیه سازی توسط SILVACO TCAD مورد ارزیابی قرار می‌گیرند. ساختار نخست تنها داری یک فلز گیت با تابع کار 5.15 eV می‌باشد. این ساختار را SMG-JLFET می‌نامیم. در این بخش مهندسی فلز گیت را به عنوان روشی برای بهبود کارآیی افزاره مورد بررسی قرار می‌دهیم که در آن فلزاتی را با تابع کار مختلف مورد بررسی قرار میدهیم. ساختار دوم که TMG-JLFET، نام دارد از سه فلز گیت با توابع کار مختلف بهره می‌گیرد. در هر دو ساختار کانال و نواحی درین و سورس به صورت یکنواخت و با میزان یکسان با آلاینده نوع N آلاییده میشوند. از اینرو هر دو ساختار از نوع N می‌باشند. مدل های عددی مناسب پیش بینی می‌گردد تا بتواند رفتار فیزیکی حامل ها را درون افزاره به درستی پیش بینی نماید. هم چنین روش های حل عددی مناسبی انتخاب می‌گردد تا بتواند ضمن حل دقیق روابط حاکم بر معادلات افزاره، زمان محاسبه را نیز کاهش دهد. مجموعه ای از مطالعات پیگیری می‌شود تا به ارزیابی عملکرد این دو افزاره در کاربردهای آنالوگ/دیجیتال کمک نماید. در این مطالعه، نوع عایق گیت به عنوان روش مهندسی و نیز مقایسه تاثیر آن بر عملکرد افزاره‌ها مورد توجه قرار گرفته است.

تاريخ دفاع : 1397-10-15