نویسنده : سمانه کوهستانی دیگه سرا

دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی

رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك

استاد راهنما (استاد مدعو) : , سید علی صدیق ضیابری,

چكيده : با استفاده از شبیه سازی دو بعدی بر اساس چارچوب تابع گرین غیر تعادلی، خواص الکترونیکی ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با ناخالصی سبک لبه پائین سورس ودرین را شبیه سازی نمودیم. انتخاب ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی با آلایش سبک سورس و درین به علت برتری این ترانزیستورها نسبت به ترانزیستور های با آلایش پله و خطی در لبه ی پائین سورس و درین می باشد. با ایجاد ناخالصی در کانال این نوع ترانزیستور، مقاومت دیفرانسیل منفی ایجاد شد و اثر تغییر الگوی آلایش ناخالصی داخل کانال افزاره روی ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک لبه پائین سورس و درین با استفاده از شبیه سازی کوانتوم بررسی شده است. با بررسی اثر تغییر آلایش و استفاده از سه ساختار جدید در کانال ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک نواحی سورس و درین، شاخص جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی ، مقاومت دیفرانسیل منفی و ولتاژ ارلی را شبیه سازی نمودیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که مقدار جریان روشنایی و همچنین نسبت جریان روشنایی با با ایجاد ساختار پله ایی افزایش می یابد. همچنین تغییر نوع ناخالصی ساختار پله داخل کانال بررسی و نشان داده شده است که استفاده از ناخالصی نوع p به جای نوع n سبب کاهش شاخص های دیجیتال نظیر جریان روشنایی و نسبت جریان روشنایی به خاموشی می شود. در پایان با ایجاد ساختار pin داخل کانال و مقایسه آن با ترانزیستور اثرمیدانی با آلایش سبک نواحی سورس و درین با ساختار پله ایی 1 و 3 نشان می دهد که، استفاده از نوع آلایش PIN داخل کانال سبب کاهش جریان روشنایی و نسبت جریان روشنایی به خاموشی می شود.

تاريخ دفاع : 97-4-24