بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها

شماره دانشجویی : 960084488
نویسنده : سعید زیکساری
عنوان پایان نامه : ارائه ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی در مقیاس نانو با گیت سه فلزی براساس ایجاد نواحی محدود از جنس گروه III-V
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , دکتر سیدعلی صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : با استفاده از کاشت GaAs بصورت ساختار درون کانال ناهمگن در کانال Device n-type از شش بخش گیت، شامل gate, gate1, gate2, gate3, gate4, gate5 که بصورت زوجی دارای موادی از Au و Co و Cu می باشند، و با تابع کار مختلف و ناخالصی cm-3 1019 1/1 درکانال، درین و سورس و یک سیلسیوم با ضخامت Tsi=8nm و sio2 با ضخامت Tox=2nm ، که می توان با تعیین تابع کار نتایج بهتری در زمینه ID بیشتر و gm پیشرفته تر و فرکانس cut-off بالاتر و (hot carrier effect) HCE، SS بهتر و کمتر،و این تحقیق نوعی پژوهش نظری است که از روش استدلالی و تحلیل نرم افزاری و بر پایه مطالعات کتابخانه ای انجام می شود و ما در این تحقیق و پایان نامه توانستیم جریان Ids را تقویت کنیم و بطوریکه Ion¬ در این ساختار جدید از کمیت بالاتری برخوردار می باشد که در مدارهای آنالوگ کاربردهای زیادی دارد و در تکنولوژی جدید می¬تواند مورداستفاده گردد. ما می¬توانیم با تابع کار درمحدوده 5.10 و 4.65 در M1 گیت¬های 5 و 4 Gate جریان بیشتری با تغییر ماهیت ترانزیستور و پایین کشیدن سد و تراز فرمی، هجوم حاملها و انتقال آن از سورس به درین در کانال خواهیم بود. واژگان کلیدی: تنوع مواد، تکنیک های مهندسی آلایش، JLMOSFET ، جریان روشنایی ،خاموشی
كلمات كليدي : تنوع مواد، تکنیک های مهندسی آلایش، JLMOSFET ، جریان روشنایی ،خاموشی
تاريخ دفاع : 98-06-20