بازگشت به بانک اطلاعات پایان نامه ها
شماره دانشجویی : 950102529
نویسنده : عرفان جباری صدودی
عنوان پایان نامه : شبیه سازی و طراحی ترانزیستور اثر میدانی نانومقیاس با ساختار ناهمگون برپایه استفاده ترکیبی از مهندسی گیت و مهندسی اکسید با هدف ارائه ساختار بهبود یافته برای کاربرد در طراحی گیت های منطقی
دانشكده : دانشکده تحصیلات تکمیلی و مجتمع فنی
گروه تحصيلي : برق
رشته/گرایش تحصيلي : مهندسي برق- الكترونيك
مقطع تحصيلي : کارشناسی ارشد
استاد راهنما (استاد مدعو) : , سید علی صدیق ضیابری,
استاد مشاور () : ,
چكيده : در این پایان نامه، یک نوع ترانزیستور اثر میدانی تونلی غیرپیوندی شبیه سازی و تحلیل می شود. این ترانزیستور را به وسیله نرم افزار Silvaco Atlas شبیه سازی می کنیم، شاخص های ولتاژ آستانه و جریان خاموشی و روشنی آن محاسبه و بررسی می شوند ،با استفاده از روش های مهندسی افزاره با تغییر اکسید از سیلیکون اکسید SiO2 به آلمینیوم اکسید Al2O3 ،راه کارهایی جهت کاهش مشخصه های ولتاژ آستانه و جریان خاموشی ارائه می دهیم؛در آخر با ایده اکسید ترکیبی به نتایج بسیار جالب و بهتر شدن رفتار افزاره دست پیدا کردیم.
كلمات كليدي : ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند- نرم افزار Silvaco Atlas- مهندسی افزاره- ولتاژ آستانه- جریان خاموشی- جریان روشنی
تاريخ دفاع : 1397-11-6